[发明专利]高介电常数温度稳定型高频介质陶瓷及其制备方法

摘要

本发明公开了一种高介电常数温度稳定型高频介质陶瓷，化学式为(Bi_1.5Zn_0.1Sr_0.4)(Zn_0.5Nb_1.5)O₇，x＝0.4；采用Bi₂O₃、Nb₂O₅、SrCO₃和ZnO为原料，于750℃煅烧，925～1000℃烧结，克服了现有技术温度稳定性较差的缺点，提供了一种满足NP0特性(在温度从-55℃到+125℃的范围之内，电容量温度系数(TCC)≤±30×10^-6/℃)的高介电常数温度稳定型高频介质陶瓷及其制备方法。本发明具有低的介质损耗tanδ≤0.0065，高的介电常数ε_r在140～150之间，电容量温度系数TCC在-30×10^-6/℃～30×10^-6/℃范围内。

主权项

一种高介电常数温度稳定型高频介质陶瓷，化学式为(Bi_1.5Zn_0.1Sr_0.4)(Zn_0.5Nb_1.5)O₇，x＝0；该高介电常数温度稳定型高频介质陶瓷的制备方法，具有如下步骤：(1)将原料Bi₂O₃、Nb₂O₅、SrCO₃和ZnO按(Bi_1.5Zn_0.1Sr_0.4)(Zn_0.5Nb_1.5)O₇的化学计量比称量配料；(2)将步骤(1)配制的粉料放入球磨罐中，加入氧化锆球和去离子水，球磨4小时；将球磨后的原料置于红外干燥箱中烘干，烘干后过40目筛，获得颗粒均匀的粉料；(3)将步骤(2)处理后的粉料于750℃煅烧，保温4小时，合成主晶相；(4)在步骤(3)煅烧处理后的粉料中外加质量百分比为0.75％的聚乙烯醇，放入球磨罐中，加入氧化锆球和去离子水，球磨12小时，烘干后过80目筛，再用粉末压片机以2MPa的压力压成坯体；(5)将步骤(4)成型后的坯体于925～1000℃烧结，保温4小时，制成高介电常数温度稳定型高频介质陶瓷；(6)测试制品的高频介电性能。