[发明专利]一种半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201410175272.5 | 申请日： | 2014-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN105098063A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 何作鹏;李志超;肖保其 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有层间介电层，在层间介电层中形成有第一金属电极；形成用于填充底部电极的通孔，所述通孔露出部分第一金属电极的上表面；形成完全填充通孔的第一底部电极材料层；实施回蚀刻，以在第一底部电极材料层的顶部形成用于填充第二底部电极材料层的凹槽；在所述凹槽中形成第二底部电极材料层。所述第一底部电极材料层和所述第二底部电极材料层共同构成所述半导体器件中的底部电极。根据本发明，可以有效便捷地实现底部电极的导热性和电阻大小之间的平衡。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有层间介电层，在所述层间介电层中形成有第一金属电极；形成用于填充底部电极的通孔，所述通孔露出部分所述第一金属电极的上表面；形成完全填充所述通孔的第一底部电极材料层；实施回蚀刻，以在所述第一底部电极材料层的顶部形成用于填充第二底部电极材料层的凹槽；在所述凹槽中形成第二底部电极材料层。
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