[发明专利]高分散纳米二氧化硅的制备方法在审
| 申请号： | 201410175779.0 | 申请日： | 2014-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN104058415A | 公开（公告）日： | 2014-09-24 |
| 发明（设计）人： | 王玉军;骆广生;张田 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C01B33/18 | 分类号： | C01B33/18;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人： | 哈达 |
| 地址： | 100084 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高分散纳米二氧化硅的制备方法。该方法包括以下步骤：提供一酸性溶液及一微孔膜；配制一定量的硅酸盐溶液，该硅酸盐溶液中含有表面活性剂，使该硅酸盐溶液沿微孔膜的表面流动；将酸性溶液通过所述微孔膜垂直加入至流动的硅酸盐溶液中；使酸性溶液和硅酸盐溶液在一温度下发生反应生成二氧化硅沉淀；以及处理该二氧化硅沉淀得到高分散的纳米二氧化硅。该方法制备二氧化硅，成本低、过程可控、方法简单，且制备得到的二氧化硅颗粒比表面积适中，粒径分布均匀，分散性好。 | ||
| 搜索关键词： | 分散 纳米 二氧化硅 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米二氧化硅的制备方法，其包括以下步骤：S1：提供一硅酸盐溶液，该硅酸盐溶液中含有表面活性剂；S2：提供一微孔膜，使上述硅酸盐溶液沿微孔膜的表面流动；S3：提供一酸性溶液，使酸性溶液穿过所述微孔膜直接加入至流动的硅酸盐溶液中，发生反应生成二氧化硅沉淀；以及S4：处理该二氧化硅沉淀得到高分散的纳米二氧化硅。
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