[发明专利]一种基于多顶栅结构的晶体管有效
| 申请号： | 201410176187.0 | 申请日： | 2014-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN103956383B | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 戴明志 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/786;H01L29/423 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司33224 | 代理人： | 刘诚午 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于多顶栅结构的晶体管，包括基底和处在基底上的介质层，所述介质层上设有一源区、一漏区以及连接在所述源区和漏区之间的沟道区，所述沟道区与至少两个顶栅连接，其中一个顶栅作为输出极，其余顶栅均作为输入极，所述的源区漏区、所有顶栅在介质层的下表面共面。本发明晶体管设有一个或一个以上用于控制沟道区的载流子的输入极，改变输入极的电压控制晶体管的输出状态，进而用一个晶体管实现多种逻辑输出，能够减少逻辑电路中晶体管的个数，逻辑电路的制备方法简单。且使用顶栅和沟道共面的设计，有效缩小了晶体管的体积，有利于提高逻辑电路的集成度，降低制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 多顶栅 结构 晶体管 | ||
【主权项】：
一种基于多顶栅结构的晶体管，包括基底(1)和处在基底(1)上的介质层(3)，所述介质层(3)上设有一源区(5)、一漏区(6)、连在所述源区(5)和漏区(6)之间的沟道区(7)以及多个顶栅，其特征在于，所述的源区(5)、漏区(6)、沟道区(7)和顶栅的下表面共面，所述顶栅中至少有2个顶栅和沟道区(7)相连，其中一个作为输出极，其余均作为输入极；所述与沟道区(7)连接的顶栅分别位于沟道区(7)的同侧或两侧；所述的沟道区的长度为0.001～5000μm，沟道区的宽度为0.0001～1000μm，沟道区的电学厚度为0.001～8000nm；所述的源区和漏区与作为输出极的第一顶栅的最小横向距离均为0.0001～100μm；所述的源区或漏区与沟道外顶栅的最小横向距离为0.0001～100μm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院宁波材料技术与工程研究所，未经中国科学院宁波材料技术与工程研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410176187.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高压PMOS晶体管及其制备方法
- 下一篇：新型封装结构的半导体器件
- 同类专利
- 专利分类
