[发明专利]显示基板的制造方法和显示基板在审
| 申请号： | 201410183483.3 | 申请日： | 2014-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN103996656A | 公开（公告）日： | 2014-08-20 |
| 发明（设计）人： | 张家祥;姜晓辉 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种显示基板的制造方法和显示基板。显示基板的制造方法包括：在衬底基板的上方形成有源层图形；在所述有源层图形的上方形成栅极；对所述有源层图形进行轻掺杂形成轻掺杂区域和多晶硅区域，所述轻掺杂区域位于所述栅极的两侧，所述多晶硅区域位于所述栅极的下方；通过形成于所述轻掺杂区域上方的第一过孔对所述轻掺杂区域进行重掺杂形成重掺杂区域和轻掺杂漏区，所述轻掺杂漏区位于所述重掺杂区域和所述多晶硅区域之间；在所述重掺杂区域之上形成源漏极图形，所述源漏极图形通过所述第一过孔与所述重掺杂区域连接。本发明提高了显示基板上轻掺杂区域长度的均匀性以及提高了掺杂效率。 | ||
| 搜索关键词： | 显示 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种显示基板的制造方法，其特征在于，包括：在衬底基板的上方形成有源层图形；在所述有源层图形的上方形成栅极；对所述有源层图形进行轻掺杂形成轻掺杂区域和多晶硅区域，所述轻掺杂区域位于所述栅极的两侧，所述多晶硅区域位于所述栅极的下方；通过形成于所述轻掺杂区域上方的第一过孔对所述轻掺杂区域进行重掺杂形成重掺杂区域和轻掺杂漏区，所述轻掺杂漏区位于所述重掺杂区域和所述多晶硅区域之间；在所述重掺杂区域之上形成源漏极图形，所述源漏极图形通过所述第一过孔与所述重掺杂区域连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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