[发明专利]用于工艺调整的在公共衬底的电子芯片中的可去除指示器结构有效
申请号: | 201410183496.0 | 申请日: | 2014-04-30 |
公开(公告)号: | CN104134607B | 公开(公告)日: | 2017-12-15 |
发明(设计)人: | E·富尔古特;I·埃舍尔-珀佩尔;M·恩格尔哈特;H-J·蒂默;H·埃德 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/66;H01L21/67;H01L27/04 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 德国诺伊*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供了一种处理多个封装的电子芯片的方法,该多个封装的电子芯片在公共衬底中彼此连接,其中该方法包括蚀刻电子芯片;检测指示在指示器结构的暴露之后的、指示器结构的至少部分去除的信息,指示器结构被嵌入在电子芯片的至少一部分内并且在蚀刻已经去除在指示器结构上方的芯片材料之后被暴露;并且在检测到指示指示器结构的至少部分去除的信息之后调整处理。 | ||
搜索关键词: | 用于 工艺 调整 公共 衬底 电子 芯片 中的 去除 指示器 结构 | ||
【主权项】:
一种处理多个封装的电子芯片的方法,所述多个封装的电子芯片在公共衬底中彼此连接,所述方法包括:蚀刻所述电子芯片;检测指示在指示器结构的暴露之后的、所述指示器结构的至少部分去除的信息,所述指示器结构被嵌入在所述电子芯片的至少一部分内并且在所述蚀刻已经去除在所述指示器结构上方的芯片材料之后被暴露;以及在检测到指示所述指示器结构的所述至少部分去除的所述信息之后调整所述处理,其中检测所述信息包括分析在所述电子芯片的环境中的挥发性物质,所述挥发性物质受到通过所述蚀刻从所述电子芯片去除所述指示器结构的材料生成的蚀刻产物的影响。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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