[发明专利]一种检测青蒿素的分子印迹传感器的制备方法及应用

摘要

本发明公开了一种检测青蒿素的分子印迹传感器的制备方法，其特征是：首先将玻碳电极用纳米多孔碳修饰，溶胶-凝胶印迹技术、纳米铂粒子、层层自组装法和电聚合法相结合，在纳米多孔碳修饰玻碳电极表面成功地研制了一种具有特异选择性的印迹电化学传感器，本发明制备的青蒿素分子印迹传感器的响应大大提高。该印迹传感器对青蒿素表现出较高的亲和性和选择性。该青蒿素分子印迹传感器与电化学工作站连接构成能够专一模板分子识别传感器。本发明制得的传感器成本低、灵敏度高、特异性好、检测快速，可反复使用。 

主权项

一种检测青蒿素的分子印迹传感器的制备方法，其特征是：在于该方法具有以下工艺步骤：（1）纳米多孔碳修饰玻碳电极制备：将玻碳电极依次用0.3μm、0.05μmAl₂O₃粉末进行表面抛光，然后用高纯水超声清洗，用氮气吹干，在玻碳电极表面滴加5~10μL纳米多孔碳的N,N‑二甲基甲酰胺分散液（0.5g/L），置于红外灯下，挥发干溶剂后，即得纳米多孔碳修饰玻碳电极；（2）氧化纳米多孔碳的制备：在反应器中，按如下组成质量百分浓度加入35~65%浓硝酸，0.5~3%纳米多孔碳，0.5~2%硝酸钠，1.0~5%高锰酸钾，超声分散20~30min，再加入32~60%去离子水，各组分含量之和为百分之百，然后在70~80℃搅拌反应16 ~20 h，冷却至室温，过滤，用去离子水反复洗涤至滤液为中性，真空干燥，得到氧化纳米多孔碳；（3）印迹溶胶的制备：在反应器中，按如下组成质量百分浓度加入，γ‑巯丙基三乙氧基硅烷：6~20%，3‑氨丙基三乙氧基硅烷：0.6~4.0%，2‑乙氧基乙醚：55~78%，0.1 mol/LHCl：8~19%，去离子水：0.5~3.0%，氯铂酸：0.05~1.0%，搅拌1~2 h，再加入青蒿素：0.05~1.0%，各组分含量之和为百分之百，继续搅拌20~30min，即得印迹溶胶；（4）检测青蒿素的分子印迹传感器的制备方法：取印迹溶胶于小烧杯中，将纳米多孔碳修饰玻碳电极放入其中，在‑0.40~0.2V电位范围内，扫描速率为50mV/s，采用循环伏安法扫描20~30圈至扫描曲线稳定，再将该电极用去离子水反复浸泡，洗脱模板分子，即得检测青蒿素的分子印迹传感器。