[发明专利]一种刻蚀方法和阵列基板在审

专利信息
申请号: 201410187181.3 申请日: 2014-05-05
公开(公告)号: CN103972075A 公开(公告)日: 2014-08-06
发明(设计)人: 卜倩倩;郭炜;任庆荣;王路;刘英伟 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L21/311 分类号: H01L21/311;H01L21/77;H01L27/12
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明的实施例提供一种刻蚀方法和阵列基板,解决了现有的阵列基板制作方案中进行ITO图案化刻蚀时出现刻蚀不干净和刻蚀速度较慢的问题,增强了显示面板的ITO图案化的刻蚀效果和实用性,提高了刻蚀速率,同时,降低了刻蚀成本。包括:在基板上形成一层氧化铟锡ITO膜层;在ITO膜层上形成一层光刻胶层;在光刻胶层上方设置掩膜板,掩膜板不完全覆盖光刻胶层;祛除光刻胶层中未被掩膜板覆盖的光刻胶;采用湿法刻蚀工艺刻蚀掉ITO膜层中未被光刻胶层覆盖的ITO膜层;采用干法刻蚀工艺刻蚀掉ITO膜层中未被光刻胶层覆盖的ITO膜层中通过湿法刻蚀工艺刻蚀后残留的ITO膜层。本发明应用于显示面板制作中。
搜索关键词: 一种 刻蚀 方法 阵列
【主权项】:
一种刻蚀方法,其特征在于,所述方法包括:在基板上形成一层氧化铟锡ITO膜层;在所述ITO膜层上形成一层光刻胶层;在所述光刻胶层上方设置掩膜板,所述掩膜板不完全覆盖所述光刻胶层;祛除所述光刻胶层中未被所述掩膜板覆盖的光刻胶;采用湿法刻蚀工艺刻蚀掉所述ITO膜层中未被所述光刻胶层覆盖的所述ITO膜层;采用干法刻蚀工艺刻蚀掉所述ITO膜层中未被所述光刻胶层覆盖的所述ITO膜层中通过所述湿法刻蚀工艺刻蚀后残留的ITO膜层。
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