[发明专利]分离栅极闪存存储器及其制造方法

摘要

本发明公开一种分离栅极闪存存储器及其制造方法。该分离栅极闪存存储器，包括元件隔离结构、第一掺杂区与第二掺杂区、选择栅极、栅介电层、浮置栅极与栅间介电层。元件隔离结构设置于基底中，以定义出主动区。第一掺杂区与第二掺杂区分别设置于基底的主动区中。选择栅极设置于基底中的沟槽内，且选择栅极的一侧邻接第一掺杂区。栅介电层设置于选择栅极与基底之间。浮置栅极设置于基底上，浮置栅极的一侧与第二掺杂区部分重叠，且浮置栅极的一部分设置于选择栅极上。栅间介电层设置于浮置栅极与选择栅极之间以及于浮置栅极与基底之间。

主权项

一种分离栅极闪存存储器，包括：元件隔离结构，设置于一基底中，以定义出一主动区；第一掺杂区与第二掺杂区，分别设置于该基底的该主动区中；选择栅极，设置于该基底中的一沟槽内，且该选择栅极的一侧邻接该第一掺杂区；栅介电层，设置于该选择栅极与该基底之间；浮置栅极，设置于该基底上，该浮置栅极的一侧与该第二掺杂区部分重叠，且该浮置栅极的一部分设置于该选择栅极上；以及栅间介电层，设置于该浮置栅极与该选择栅极之间以及在该浮置栅极与该基底之间。