[发明专利]一种电容触摸屏的制作工艺在审

专利信息
申请号: 201410196517.2 申请日: 2014-05-09
公开(公告)号: CN104090694A 公开(公告)日: 2014-10-08
发明(设计)人: 汪峻铭 申请(专利权)人: 浙江金指科技有限公司
主分类号: G06F3/044 分类号: G06F3/044
代理公司: 杭州华鼎知识产权代理事务所(普通合伙) 33217 代理人: 胡根良
地址: 313100 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种电容触摸屏的制作工艺,属触摸屏领域,解决了on-cell触摸屏灵敏度不高、ITO导电膜厚度不均匀的问题。一种电容触摸屏的制作工艺,包括下述步骤,取带有彩色滤光片的液晶显示玻璃层,在彩色滤光片上沉积金属导电膜,并蚀刻过桥、引线、引点;在金属导电膜上覆盖OC绝缘层;在OC绝缘层上沉积ITO导电膜,ITO导电膜的厚度为130纳米-140纳米,蚀刻ITO图形,并与金属导电膜的过桥电连接;在ITO导电膜上固定柔性引线;使用透明光学胶将玻璃盖板贴合至ITO导电膜上,制成电容触摸屏。在on-cell电容式触摸屏中使用SITO工艺,提高了触摸屏的灵敏度,同时可保持ITO导电膜的厚度较为均匀,便于黄光制程工艺实施,提高了良品率。
搜索关键词: 一种 电容 触摸屏 制作 工艺
【主权项】:
一种电容触摸屏的制作工艺,其特征在于:包括下述步骤,(A)取带有彩色滤光片的液晶显示玻璃层,在彩色滤光片上沉积金属导电膜,并蚀刻过桥、引线、引点;(B)在金属导电膜上覆盖OC绝缘层;(C)在OC绝缘层上沉积ITO导电膜,ITO导电膜的厚度为130纳米‑140纳米,蚀刻ITO图形,并与金属导电膜的过桥电连接;(D)在ITO导电膜上固定柔性引线;(E)使用透明光学胶将玻璃盖板贴合至ITO导电膜上,制成电容触摸屏。
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