[发明专利]高压半导体元件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种高压半导体元件及其制造方法，该高压半导体元件包括一高压半导体晶体管(HVMOS)和一常开型低压半导体晶体管(normally‑on LVMOS)电性连接高压半导体晶体管。HVMOS具有一第一集极及一第一发射极。常开型LVMOS具有一第二集极及一第二发射极，其中常开型LVMOS的第二集极被电性连接至HVMOS的第一发射极，因而形成一静电防护双极晶体管，如一NPN型静电防护双极晶体管。

主权项

1.一种高压半导体元件，包括：一高压半导体晶体管(HVMOS)，具有一第一集极(first collector)及一第一发射极(first emitter)；以及一常开型低压半导体晶体管(LVMOS)，电性连接于该高压半导体晶体管，且该常开型低压半导体晶体管具有一第二集极(second collector)及一第二发射极(second emitter)，其中该常开型低压半导体晶体管的该第二集极被电性连接至该高压半导体晶体管的该第一发射极；其中，电性连接的该高压半导体晶体管和该常开型低压半导体晶体管是形成一NPN型静电防护双极晶体管(NPN ESD BJT)，该常开型低压半导体晶体管的一低压栅极(LV gate)是与该高压半导体晶体管的一高压栅极(HV gate)连接，该常开型低压半导体晶体管的一低压漏极是与该高压半导体晶体管的一高压源极共接，该常开型低压半导体晶体管以及该高压半导体晶体管是共享相同的一源极/基极(S/B)，且该常开型低压半导体晶体管是垂直于该高压半导体晶体管设置。