[发明专利]导电盲孔结构及其制法有效
| 申请号： | 201410198024.2 | 申请日： | 2014-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN105023910B | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 陈彦亨;林畯棠;纪杰元;詹慕萱 | 申请（专利权）人： | 矽品精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种导电盲孔结构及其制法，该导电盲孔结构的制法，通过先形成穿孔于一封装胶体上，再形成介电层于该封装胶体上，且该介电层填满该些穿孔，之后形成盲孔于该介电层上，且该盲孔位于该些穿孔中，最后形成导电材于该盲孔中。藉由先将该介电层填满该些穿孔，再形成该盲孔于该些穿孔中的介电层中，以改善该些穿孔的壁面的粗糙度。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 结构 及其 制法 | ||
【主权项】：
1.一种导电盲孔结构，包括：封装胶体，其具有连通至该封装胶体外部的多个穿孔；介电层，其形成于该封装胶体上并填充该些穿孔，且对填满该些穿孔中的介电层进行曝光方式以形成有盲孔，该盲孔的壁面为平整面；以及导电材，其填充于该盲孔中。
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