[发明专利]赛隆系氧氮化物荧光体的制造方法以及赛隆系氧氮化物荧光体有效
| 申请号： | 201410206550.9 | 申请日： | 2011-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN104087291B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 藤永昌孝;上田孝之;治田慎辅 | 申请（专利权）人： | 宇部兴产株式会社 |
| 主分类号： | C09K11/64 | 分类号： | C09K11/64;C09K11/80 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 李英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供光致发光荧光体的制造方法，其能够在以α‑赛隆为主成分的氧氮化物荧光体中实现以蓝色LED为光源的白色LED的高亮度化。该α‑赛隆系氧氮化物荧光体的制造方法的特征在于将混合粉末在含有氮的惰性气体气氛中在1400～2000℃烧制，所述混合粉末含有松装密度为0.16～0.22g/cm3的无定形氮化硅粉末，并且是按照生成物以式MxSi12‑(m+n)Al(m+n)OnN16‑nLny表示而配混的混合粉末，M为选自Li、Ca、Mg、Y或者除La、Ce以外的镧系金属的至少一种金属，Ln为选自Eu、Dy、Er、Tb、Yb的至少一种镧系金属。 | ||
| 搜索关键词： | 赛隆系氧 氮化物 荧光 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
α‑赛隆系氧氮化物荧光体的制造方法，其特征在于将混合粉末在含有氮的惰性气体气氛中在1400～2000℃烧制，所述混合粉末含有比表面积为大于600且小于等于800m2/g、松装密度为0.1～0.3g/cm3的无定形氮化硅粉末，并且是按照生成物以式MxSi12‑(m+n)Al(m+n)OnN16‑n:Lny表示而配混的混合粉末，M为选自Li、Ca、Mg、Y或者除La、Ce以外的镧系金属的至少一种金属，Ln为选自Eu、Dy、Er、Tb、Yb的至少一种镧系金属，0.3≤x+y＜1.5，0＜y＜0.7，0.3≤m＜4.5，0＜n＜2.25。
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