[发明专利]一种用于减小自加热效应的SOI高压结构在审
| 申请号： | 201410216640.6 | 申请日： | 2014-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN105097732A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 徐帆;陈昭;蒋乐乐 | 申请（专利权）人： | 上海北京大学微电子研究院 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;H01L23/367;H01L21/762 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种用于减小自加热效应的SOI高压结构，本发明公开了该结构的原理示意图及其制造方法，以减弱SOI高压结构中埋层存在的自加热效应。其中该结构，包括通常的传统的SOI高压结构以及由新材料以不同于传统埋层结构的新型埋层。该材料在不影响或者少量影响器件其他原有属性的情况下，明显降低了自加热效应。该专利包括这种新型结构的材料、结构以及制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 减小 加热 效应 soi 高压 结构 | ||
【主权项】：
一种用于减小自加热效应的SOI高压结构，包括顶层硅、介质埋层及位于埋层下方的衬底，其特征在于，衬底层为N型硅或者P型硅，顶层硅和衬底层之间通过介质埋层进行隔离。
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