[发明专利]ESD保护器件结构与系统在审
| 申请号： | 201410216652.9 | 申请日： | 2014-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN105097798A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 张炯;施子涛;徐帆;程玉华 | 申请（专利权）人： | 上海北京大学微电子研究院 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/60 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于集成电路ESD保护的双向可控硅静电保护器件及系统。该ESD保护器件为2端口（A和K）的SCR器件，由结构包含五层（N1P2N3P4N5）结构中包含一个PNP三极管和2个NPN三极管，以及其中的串联寄生电阻。器件中间包含两个内建的NMOS管器件来降低器件的开启电压。使用该器件的全新篇静电保护系统较传统使用单向静电保护器件的系统相比在每个I/O管脚只需要使用一半数目的静电保护器件：在输入端或输出端分别只有两个该类型器件分别连接电源端和地端，从而完成被保护电路的全芯片静电保护。 | ||
| 搜索关键词： | esd 保护 器件 结构 系统 | ||
【主权项】：
一种用于集成电路ESD保护的可控硅器件结构，包括由绝缘层隔开的两个P阱，每个P阱中各有一个NMOS器件，其特征在于，具有双向开启端。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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