[发明专利]一种SRAM输出锁存电路有效
申请号: | 201410216693.8 | 申请日: | 2014-05-21 |
公开(公告)号: | CN105097016B | 公开(公告)日: | 2018-04-17 |
发明(设计)人: | 郝旭丹;方伟;史增博;陈双文;潘劲东 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G11C11/413 | 分类号: | G11C11/413 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种SRAM输出锁存电路,所述SRAM输出锁存电路至少包括用于放大信号的灵敏放大器,用于产生预置位信号的预置位信号产生电路以及连接于所述灵敏放大器及所述预置位信号产生电路输出端的RS锁存电路;所述预置位信号产生电路使所述RS锁存器预先输出信号“1”,当所述灵敏放大器的输入信号为“0”时,所述RS锁存器的输出信号由信号“1”跳变为信号“0”;当所述灵敏放大器的输入信号为“1”时,所述RS锁存器的输出信号保持为信号“1”。本发明的SRAM输出锁存电路通过增加一个预置位信号,减少输出“1”的时间,达到缩小SRAM整体访问时间的目的,进而提升SRAM的性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 sram 输出 电路 | ||
【主权项】:
一种SRAM输出锁存电路,其特征在于,所述SRAM输出锁存电路至少包括:灵敏放大器,预置位信号产生电路,RS锁存电路;所述灵敏放大器连接于SRAM存储单元,用于将所述SRAM存储单元中输出的数据信号比较后放大,便于后续电路对所述数据信号的识别;所述预置位信号产生电路产生预置位信号,使所述RS锁存电路预先输出高电平信号;所述RS锁存电路连接于所述灵敏放大器及所述预置位信号产生电路,用于锁存及传输所述灵敏放大器输出的信号;当所述灵敏放大器的输入信号为“0”时,所述RS锁存器的输出信号由信号“1”跳变为信号“0”;当所述灵敏放大器的输入信号为“1”时,所述RS锁存器的输出信号保持为信号“1”。
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