[发明专利]一种阵列基板及数据线断线的修复方法有效
申请号: | 201410217057.7 | 申请日: | 2014-05-21 |
公开(公告)号: | CN104035218B | 公开(公告)日: | 2017-04-19 |
发明(设计)人: | 郭会斌;王守坤;李梁梁;冯玉春;郭总杰 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/13 | 分类号: | G02F1/13;G02F1/1362;H01L27/12 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 彭瑞欣,陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种阵列基板及数据线断线的修复方法。该数据线断线的修复方法用于对制备于阵列基板上的数据线的缺口进行修复;其包括下述步骤将预设元素的离子掺杂进入半导体层上对应于所述缺口下方,以及对应于数据线位于缺口两侧的端部的下方的区域,使半导体层上掺杂有预设元素的离子的区域变为导电层,以使数据线位于所述缺口两侧的端部通过所述导电层电连接。本发明提供的上述数据线断线的修复方法不受数据线的线宽的影响,从而其可以在数据线的线宽较窄的情况下,将数据线的断线修复。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 数据线 断线 修复 方法 | ||
【主权项】:
一种数据线断线的修复方法,用于对制备于阵列基板上的数据线的缺口进行修复;所述数据线下方设有半导体层,其特征在于,所述数据线断线的修复方法包括下述步骤:检测阵列基板上存在缺口的数据线,以及所述缺口所在的位置的步骤;将预设元素的离子掺杂进入所述半导体层上对应于所述缺口下方,以及对应于所述数据线位于所述缺口两侧的端部的下方的区域,使半导体层上掺杂有预设元素的离子的区域变为导电层,以使所述数据线位于所述缺口两侧的端部通过所述导电层电连接。
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