[发明专利]电流舵结构的补偿电路和电流镜像电路有效
申请号: | 201410217761.2 | 申请日: | 2014-05-21 |
公开(公告)号: | CN105094205B | 公开(公告)日: | 2017-08-01 |
发明(设计)人: | 徐丽;陈萍;李文亮 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G05F3/26 | 分类号: | G05F3/26 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人: | 吴贵明,张永明 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请公开了一种电流舵结构的补偿电路和电流镜像电路。该补偿电路用于对电流舵结构的电流进行补偿,电流舵结构包括第一MOS晶体管和第二MOS晶体管,该补偿电路包括熔丝;第三MOS晶体管,其中,第三MOS晶体管的栅极连接至第一MOS晶体管的栅极,第三MOS晶体管的源极和第一MOS晶体管的源极均连接至电源;以及第四MOS晶体管,其中,第四MOS晶体管的栅极连接至第二MOS晶体管的栅极,其中,第四MOS晶体管的源极与第三MOS晶体管的漏极相连接,第四MOS晶体管的漏极与熔丝的第一端相连接,熔丝的第二端与第二MOS晶体管的漏极相连接。通过本申请,解决了现有技术中进行电流补偿时不利于和基准电路匹配的问题,进而达到了在进行电流补偿时便于和基准电路匹配的效果。 | ||
搜索关键词: | 电流 结构 补偿 电路 | ||
【主权项】:
一种电流舵结构的补偿电路,用于对所述电流舵结构的电流进行补偿,所述电流舵结构包括第一MOS晶体管和第二MOS晶体管,其特征在于,所述补偿电路包括:熔丝;第三MOS晶体管,其中,所述第三MOS晶体管的栅极连接至所述第一MOS晶体管的栅极,所述第三MOS晶体管的源极和所述第一MOS晶体管的源极均连接至电源;以及第四MOS晶体管,其中,所述第四MOS晶体管的栅极连接至所述第二MOS晶体管的栅极,其中,所述第四MOS晶体管的源极与所述第三MOS晶体管的漏极相连接,所述第四MOS晶体管的漏极与所述熔丝的第一端相连接,所述熔丝的第二端与所述第二MOS晶体管的漏极相连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410217761.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:可附着式计算机
- 下一篇:一种养殖场恒温控制电路