[发明专利]薄膜晶体管基板及其制作方法及显示器有效
| 申请号： | 201410218781.1 | 申请日： | 2014-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN105097824B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 李冠锋;赖浩诠 | 申请（专利权）人： | 群创光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/786;H01L29/45;H01L21/77;H01L21/28 |
| 代理公司： | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 本发明公开一种薄膜晶体管基板及其制作方法及显示器。该薄膜晶体管基板包括：一基板；一栅极，配置于基板上；一栅极绝缘层，配置于基板上并覆盖栅极；一主动层，配置于栅极绝缘层上并位于栅极上方，其中主动层具有一第一氧空缺部分与一第二氧空缺部分；一源极与一漏极，配置于主动层上，源极连接第一氧空缺部分，漏极连接第二氧空缺部分。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制作方法 显示器 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管基板，包括：/n一基板；/n一栅极，配置于该基板上；/n一栅极绝缘层，配置于该基板上并覆盖该栅极；/n一主动层，配置于该栅极绝缘层上并位于该栅极上方，其中该主动层具有一第一氧空缺部分、一第二氧空缺部分与一第一部分，该第一部分具有一第一端部及一第二端部；/n一源极与一漏极，配置于该主动层上，该源极直接连接该第一氧空缺部分与该第一端部，该漏极直接连接该第二氧空缺部分与该第二端部；/n其中该第一氧空缺部分与该第二氧空缺部分分别位于该主动层的相对两侧，并且该第一氧空缺部分与该第二氧空缺部分分别与该栅极绝缘层的一上表面接触，/n其中该第一氧空缺部分与该第二氧空缺部分是由一蚀刻制作工艺在蚀刻形成该主动层的同时蚀刻该主动层的两端所形成。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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