[发明专利]快闪存储器的形成方法

摘要

本发明提供一种快闪存储器的形成方法，所述快闪存储器的形成方法至少包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成至少两个栅极堆栈结构；在每一所述栅极堆栈结构的两侧形成第一侧墙；在相邻两所述栅极堆栈结构之间的半导体衬底上形成镍化物；在所述第一侧墙和所述镍化物上形成第二侧墙。本发明的技术方案中通过先形成好栅极堆栈结构之间的镍化物，再形成外侧的第二侧墙的方式，避免了沉积镍层时，由于第二侧墙的阻挡，镍层接触不到半导体衬底的问题，导致后续不能形成镍化物的问题。

主权项

1.一种快闪存储器的形成方法，其特征在于，所述快闪存储器的形成方法至少包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成至少两个栅极堆栈结构；在每一所述栅极堆栈结构的两侧形成第一侧墙；在相邻两所述栅极堆栈结构之间的半导体衬底上形成镍化物；在所述第一侧墙和所述镍化物上形成第二侧墙，所述第二侧墙的材质为氮氧化硅。