[发明专利]一种半导体晶片的切割方法

摘要

一种半导体晶片的切割方法。提供了一种在晶片背面无需蚀刻切割道，工艺简单，有效提高工作效率的半导体晶片的切割方法。本发明在晶片背面没有线切割道的情况下，首先，在晶片正面切割2刀，两切割道之间的夹角为90°，并将其边缘裂开即将第一横排、第一竖排的芯片边缘切割后掰掉，以此作为切割基准线；然后，根据切割线及芯片的尺寸进行背面切割，背面切割呈现半切透状态；最后，使用正面裂片的方式将晶片分割成符合要求尺寸的单小芯片。本发明省略了晶片的背面蚀刻步骤，减少了生产工艺流程中的步骤，进行背切割作业，降低了成本，同时，降低由于工序增加导致的异常发生，提升二极管芯片的整体性能。

主权项

一种半导体晶片的切割方法，所述晶片呈圆形、且由若干横排、竖排相互交叉连为一体的芯片组成，所述晶片的背面呈平面；    其特征在于，包括以下步骤：1）、将所述晶片正面朝上放置于激光切割机的切割台上，待切割；2）、沿晶片第一横排芯片的外端面和第一竖排芯片的外端面分别进行一次切割，形成切割道一和切割道二，所述切割道一和切割道二呈半切透状态；3）、通过所述切割道一和切割道二，分别去除第一横排芯片的外端边缘部和第一竖排芯片的外端边缘部，建立切割基准线一和切割基准线二，所述切割基准线一和切割基准线二之间的夹角为90°；4）、将所述晶片背面朝上放置于激光切割机的切割台上，待切割；5）、所述晶片的背面切割呈半切透状态，所述芯片呈长方形，所述芯片的长为横向间距一、宽为横向间距二；   5.1）、将切割基准线一水平设置、且作为基准线，激光切割机沿设定的均布的横向间距一依次切割，其中，切割台先沿横向间距一移动，然后，切割台左右移动，完成一次横向切割；   5.2）、将切割台旋转90°；   5.3）、将切割基准线二水平设置、且作为基准线，激光切割机沿设定的均布的横向间距二依次切割，其中，切割台先沿横向间距二移动，然后，切割台左右移动，完成一次横向切割；   5.4）、切割完毕，放置待裂晶片；6）、在工作台上放置10‑15张滤纸，滤纸上放置一张麦拉纸，用毛笔蘸取异丙醇均匀涂在麦拉纸上；7）、取待裂晶片，将晶片背面朝下放置于涂有异丙醇的麦拉纸上；8）、取另一张麦拉纸，在麦拉纸上均匀涂上异丙醇，并覆盖在晶片的正面；9）、用胶木棒平行于水平切割道方向，向前匀速推动，将晶片裂开，裂片工艺完毕。