[发明专利]复合介质栅MOSFET光敏探测器的复位方法

摘要

本发明公开了一种复合介质栅MOSFET光敏探测器的复位方法，具体过程如下通过FN隧穿的方法将阵列中所有像元的阈值电压先注入提高到3V左右，再用FN方式使电压降低到0.5V左右，最后再通过FN隧穿注入的方式把成像阵列中所有成像器件单元的阈值电压恢复到一个适中的数值（约1V），作为下一次成像的初始阈值电压，并且所有像元的阈值电压分布在一个较小的电压范围，以增加成像窗口，提高动态范围，提高复合介质栅MOSFET光敏探测器的成像效果。本发明的复位方法，可以实现高分辨率复合介质栅MOSFET光敏探测器的快速复位，并且复位功耗很小，简单易实现。

主权项

复合介质栅MOSFET光敏探测器的复位方法，光敏探测器为由成像器件单元排列组成的阵列结构，其特征在于，复位采用FN隧穿的方法，具体包括如下步骤：(1)栅极加正电压，源端和衬底加相同的负电压，将所有成像器件单元的阈值电压通过FN隧穿注入的方式提高到3V～4V，对阵列成像后的成像器件单元阈值电压分布起到初步收敛的作用；(2)栅极加负电压，源端和衬底加相同的正电压，将阵列中所有成像器件单元的阈值电压通过FN隧穿方式降低到0.5V的低位阈值电压，转移出所有成像器件单元光电子存储层的多余电子；(3)栅极加正电压，源端和衬底加相同负电压，这里的电压条件比步骤(1)的电压条件低，使电子从源端隧穿到浮栅中，或使浮栅中的空穴隧穿到源端，从而将阵列所有成像器件单元的阈值电压注入到1V，作为下一次成像的初始阈值电压。