[发明专利]一种晶圆切割方法在审
| 申请号： | 201410227571.9 | 申请日： | 2014-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN105448826A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 施林波;陈福成 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;B28D5/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种晶圆切割方法，所述方法包括步骤A1：提供晶圆，在所述晶圆中形成有沟槽；步骤A2：选用临时填充材料填充所述沟槽，以支撑所述沟槽；步骤A3：对所述晶圆的背面进行研磨，以露出所述临时填充材料；步骤A4：去除所述临时填充材料，露出所述沟槽，以完成对所述晶圆的切割。本发明为了解决现有技术DRIE切割工艺中研磨造成沟槽轮廓发生碎裂的问题，提供了一种新的DRIE切割方法，在所述方法中在DRIE结束后采用临时键合胶将沟槽(trench)空腔填满，通过温和烘焙(soft bake)使之固化，然后进行背部研磨，使得在研磨过程中晶圆边缘得到支持而避免发生碎裂；在研磨完成后，采用对应的溶剂去除临时键合胶，克服了碎裂的问题，提高了切割效率和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 切割 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆切割方法，包括：步骤A1：提供晶圆，在所述晶圆中形成有沟槽；步骤A2：选用临时填充材料填充所述沟槽，以支撑所述沟槽；步骤A3：对所述晶圆的背面进行研磨，以露出所述临时填充材料；步骤A4：去除所述临时填充材料，露出所述沟槽，以完成对所述晶圆的切割。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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