[发明专利]一种SRAM存储单元、SRAM存储器及其控制方法有效
| 申请号： | 201410228075.5 | 申请日： | 2014-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN105448328B | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 王楠;王媛;李煜;王颖倩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/419 | 分类号： | G11C11/419 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;徐金红 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种SRAM存储单元、SRAM存储器及其控制方法，所述存储单元包括：第一上拉晶体管和第一级联下拉晶体管，所述第一上拉晶体管与第一级联下拉晶体管的栅极连接在一起构成第一反相器，其中所述第一级联下拉晶体管由第一下拉晶体管和第三下拉晶体管级联构成；第二上拉晶体管和第二级联下拉晶体管，所述第二上拉晶体管与第二级联下拉晶体管的栅极连接在一起构成第二反相器，其中所述第二级联下拉晶体管由第二下拉晶体管和第四下拉晶体管级联构成；所述第一反相器与所述第二反相器交叉耦合。根据本发明的存储单元，可明显提高SRAM存储单元的读取静态噪声容限，提高了SRAM存储单元的读操作性能以及良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sram 存储 单元 存储器 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SRAM存储单元，包括：第一上拉晶体管和第一级联下拉晶体管，所述第一上拉晶体管与第一级联下拉晶体管的栅极连接在一起构成第一反相器，其中所述第一级联下拉晶体管由第一下拉晶体管和第三下拉晶体管级联构成；第二上拉晶体管和第二级联下拉晶体管，所述第二上拉晶体管与第二级联下拉晶体管的栅极连接在一起构成第二反相器，其中所述第二级联下拉晶体管由第二下拉晶体管和第四下拉晶体管级联构成；所述第一反相器与所述第二反相器交叉耦合。
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