[发明专利]GaAs/AlGaAs半导体异质结结构的霍尔棒及其制作方法有效
| 申请号： | 201410231897.9 | 申请日： | 2014-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN103985747B | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | 李海欧;郭国平;尤杰;曹刚;肖明;郭光灿 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L23/544;H01L21/335;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 贺卫国 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种GaAs/AlGaAs半导体异质结结构体，所述结构体包括GaAs/AlGaAs异质结基片，顶层金属栅极300，其中所述GaAs/AlGaAs异质结基片依次包括GaAs衬底101、AlGaAs缓冲层102、AlGaAs掺杂层103、AlGaAs隔离层104、表面的GaAs盖帽层105，其中GaAs衬底101中具有二维电子气区106。 | ||
| 搜索关键词： | gaas algaas 半导体 异质结 结构 霍尔 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种GaAs/AlGaAs半导体异质结结构的霍尔棒，所述霍尔棒包括GaAs/AlGaAs异质结基片和顶层金属栅极(300)，其中所述GaAs/AlGaAs异质结基片依次包括GaAs衬底(101)、在所述GaAs衬底(101)上且与其接触的AlGaAs缓冲层(102)、在所述AlGaAs缓冲层(102)上且与其接触的AlGaAs掺杂层(103)、在所述AlGaAs掺杂层(103)上且与其接触的AlGaAs隔离层(104)和在所述AlGaAs隔离层(104)上且与其接触的表面的GaAs盖帽层(105)，其中GaAs衬底(101)中具有二维电子气区(106)，所述AlGaAs掺杂层(103)掺杂的原子是Si原子。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学技术大学，未经中国科学技术大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410231897.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电路基板生产线用的电子元件安装设备
- 下一篇：工具盒展示结构
- 同类专利
- 专利分类
