[发明专利]一种标准高频交变磁场的产生方法有效

专利信息
申请号: 201410232155.8 申请日: 2014-05-28
公开(公告)号: CN104049229B 公开(公告)日: 2017-01-18
发明(设计)人: 张晓明;李杰;刘俊 申请(专利权)人: 苏州中盛纳米科技有限公司
主分类号: G01R35/00 分类号: G01R35/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215000 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 目前磁传感器动态标定过程中使用的通电螺旋管无法产生高频交变激励磁场源,本发明公开一种用于为磁传感器进行动态标定的标准高频交变磁场的产生方法,在固定空间中产生高频交变磁场,为磁传感器动态特性标定提供了标准磁场激励源。采用长直导线产生高频激励磁场,使用高磁导率的屏蔽筒屏蔽外界地磁场、设备干扰磁场等,同时还使用了高精度磁传感器作为反馈探测,进一步提高了磁屏蔽筒内的磁场源精度。
搜索关键词: 一种 标准 高频 磁场 产生 方法
【主权项】:
一种标准高频交变磁场的产生方法,其特征在于,该方法包括:将一长直导线置于磁屏蔽筒的中心轴线上;将一高精度磁传感器置于所述磁屏蔽筒内与所述长直导线具有一定垂直距离的位置处,所述高精度磁传感器与所述磁屏蔽筒的口部的水平距离为所述磁屏蔽套筒长度的二分之一;所述高精度磁传感器实时检测所述长直导线产生的磁信号,并将所述磁信号转换为电信号,作为负反馈量反馈给信号源;计算高精度磁传感器与所述长直导线的垂直距离;所述信号源为所述长直导线提供典型的周期信号,周期信号为电压源或电流源的扫频信号;由毕奥‑萨伐尔定律计算得出激励磁场源的场强、方向和频率。
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