[发明专利]一种阵列基板、其制作方法及显示装置

摘要

本发明公开了一种阵列基板、其制作方法及显示装置，由于金属屏蔽层不仅与公共电极电性连接，且用于电性连接金属屏蔽层与公共电极的第一连接部与源漏电极同层设置，并且是通过贯穿第一绝缘层和缓冲层的过孔与金属屏蔽电极电性连接。因此本发明实施例提供的上述阵列基板不仅可以在有源层与金属屏蔽层之间形成存储电容，从而达到增大阵列基板电容的目的，并且在制备时可以通过一次构图工艺形成同层设置的第一连接部与源漏电极，从而可以减少制作流程，简化制作工艺，最终可以达到节省制作成本、缩短制作时间的目的。

主权项

一种阵列基板的制作方法，包括在衬底基板上依次形成金属屏蔽层、缓冲层、顶栅型薄膜晶体管和公共电极的图形；其中，所述顶栅型薄膜晶体管的源漏电极位于有源层的上方、且通过贯穿位于所述源漏电极与所述有源层之间的第一绝缘层的第一过孔与所述有源层电性连接，其特征在于，还包括：在形成贯穿所述第一绝缘层的所述第一过孔的同时，采用半色调掩模板或灰色调掩模板形成贯穿所述第一绝缘层和所述缓冲层的第二过孔；在形成所述源漏电极的图形的同时，通过一次构图工艺形成用于电性连接所述金属屏蔽层与所述公共电极、且通过所述第二过孔与所述金属屏蔽层电性连接的第一连接部的图形；在形成源漏电极的图形之后，在形成公共电极的图形之前，还包括：在所述源漏电极与将要形成的所述公共电极之间形成第二绝缘层的薄膜；通过构图工艺形成贯穿所述第二绝缘层的薄膜的第三过孔和第四过孔，所述公共电极通过所述第三过孔与所述第一连接部电性连接；在形成所述公共电极的图形的同时，通过一次构图工艺形成用于电性连接将要形成的像素电极与所述源漏电极中的漏电极的第二连接部的图形，所述第二连接部通过所述第四过孔与所述漏电极电性连接；在形成所述公共电极的图形之后，还包括：在所述公共电极上形成第三绝缘层的薄膜；通过构图工艺形成贯穿所述第三绝缘层的薄膜的第五过孔；在所述第三绝缘层上形成像素电极的图形，所述像素电极通过所述第五过孔与所述第二连接部电性连接；或者，在形成源漏电极的图形之后，在形成公共电极的图形之前，还包括：在所述源漏电极与将要形成的所述公共电极之间形成第二绝缘层的薄膜；通过构图工艺形成贯穿所述第二绝缘层的薄膜的第六过孔和第七过孔；在形成有所述第六过孔的所述第二绝缘层的薄膜上形成像素电极的图形，所述像素电极通过所述第六过孔与所述源漏电极中的漏电极电性连接；在形成所述像素电极的图形的同时，通过一次构图工艺形成用于电性连接将要形成的公共电极与所述第一连接部的第三连接部的图形，所述第三连接部通过所述第七过孔与所述第一连接部电性连接；在形成所述像素电极的图形之后，还包括：在所述像素电极与将要形成的所述公共电极之间形成第三绝缘层的薄膜；通过构图工艺形成贯穿所述第三绝缘层的薄膜的第八过孔，将要形成的所述公共电极通过所述第八过孔与所述第三连接部电性连接。