[发明专利]多发热单元的晶体生长装置及方法在审
| 申请号： | 201410241453.3 | 申请日： | 2014-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN105220222A | 公开（公告）日： | 2016-01-06 |
| 发明（设计）人： | 臧春雨;臧春和;李毅 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130021 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 一种采用下降法在真空条件下生长氟化物晶体的方法和装置，该装置的热区是由三个独立的发热单元构成的，每个发热单元包括热电偶、单相功率调节器、温度控制器等。这三组发热单元同时工作，独立控温，共同构成晶体生长炉内的发热区。通过对这三组发热单元温度分别设定，可在晶体熔体内建立沿着坩埚轴向向上的温度梯度。这种温场结构有利于避免坩埚内熔体产生对流，减小晶体内部气泡和杂质在轴心聚集。该装置的冷区采用石墨保温筒，避免冷区的温场由于电极的存在而导致轴向温场不对称，可以有效地保证固液界面处温场的均匀与轴向旋转对称，有利于获得平滑的固液界面，从而使所生长的晶体具有较小的内应力和较小的应力双折射，提高晶体的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 多发 单元 晶体生长 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种多发热单元的晶体生长装置及方法，其特征是：采用下降法在真空条件下生长氟化物晶体，晶体生长装置的发热区是由三个独立的发热单元构成的，每个发热单元包括热电偶、单相功率调节器、单相变压器、温度控制器等组件；这三组发热单元同时工作，独立控温，共同构成晶体生长炉内的发热区；通过对这三组发热单元温度分别设定，可在晶体熔体内建立沿着坩埚轴向向上的温度梯度；该装置的冷区由位于电极内侧的石墨保温筒和位于电极外侧的保温材料构成。
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