[发明专利]一种用于监控SRAM存储阵列中上拉晶体管的测试结构及测试方法有效
| 申请号： | 201410243329.0 | 申请日： | 2014-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN105140214B | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 王楠;王媛;李煜;王颖倩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G01R31/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于监控SRAM存储阵列中上拉晶体管的测试结构，包括长链式上拉晶体管组，所述长链式上拉晶体管组由位于所述长链式上拉晶体管组第一侧的多个上拉晶体管和位于与所述第一侧相对的第二侧的多个上拉晶体管组成，其中，位于同一侧的上拉晶体管并联，位于不同侧的上拉晶体管的源极和栅极顺序电连接，还包括第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘和第四焊盘，所述第一焊盘与所述第一侧的多个上拉晶体管的漏极电连接；所述第二焊盘与所述第一侧的多个上拉晶体管的源极电连接；所述第三焊盘与所述第二侧的多个上拉晶体管的源极电连接；所述第四焊盘与所述第二侧的多个上拉晶体管的漏极电连接。通过本发明的测试结构，有效监控上拉晶体管的电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 监控 sram 存储 阵列 中上 晶体管 测试 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种用于监控SRAM存储阵列中上拉晶体管的测试结构，包括长链式上拉晶体管组，所述长链式上拉晶体管组由位于所述长链式上拉晶体管组第一侧的多个上拉晶体管和位于与所述第一侧相对的第二侧的多个上拉晶体管组成，其中，位于同一侧的上拉晶体管并联，位于不同侧的上拉晶体管的源极和栅极顺序电连接，其特征在于，还包括第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘和第四焊盘，其中，所述第一焊盘与所述第一侧的多个上拉晶体管的漏极电连接；所述第二焊盘与所述第一侧的多个上拉晶体管的源极电连接；所述第三焊盘与所述第二侧的多个上拉晶体管的源极电连接；所述第四焊盘与所述第二侧的多个上拉晶体管的漏极电连接。
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