[发明专利]一种肖特基二极管的制造方法在审
| 申请号： | 201410250761.2 | 申请日： | 2014-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN105448710A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 崔金洪;谢春诚 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;黄灿 |
| 地址： | 100871 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种肖特基二极管的制造方法，包括：在硅片的第一表面制成二氧化硅层；刻蚀所述二氧化硅层形成硬掩膜；在所述二氧化硅层被刻蚀的部分进行光刻和刻蚀形成沟槽；利用覆盖所述硬掩膜和所述沟槽中间部分的掩膜板，在所述沟槽中形成栅极氧化层；在所述硬掩膜以及所述栅极氧化层的基础上制成多晶硅层；移除所述第一表面上的所述硬掩膜以及所述沟槽外的多晶硅层；沉积金属并合金，制成第一金属层；对所述第一金属层进行光刻和刻蚀，形成第一电极；在所述硅片与所述第一表面相对的第二表面上形成第二电极。本发明提供的方案极大的节约了制造成本和流程步骤，显著提高了肖特基二极管的生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种肖特基二极管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：在硅片的第一表面制成二氧化硅层；刻蚀所述二氧化硅层形成硬掩膜；在所述二氧化硅层被刻蚀的部分进行光刻和刻蚀形成沟槽；利用覆盖所述硬掩膜和所述沟槽中间部分的掩膜板，在所述沟槽中形成栅极氧化层；在所述硬掩膜以及所述栅极氧化层的基础上制成多晶硅层；移除所述第一表面上的所述硬掩膜以及所述沟槽外的多晶硅层；沉积金属并合金，制成第一金属层；对所述第一金属层进行光刻和刻蚀，形成第一电极；在所述硅片与所述第一表面相对的第二表面上形成第二电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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