[发明专利]半导体器件有效

专利信息
申请号: 201410253650.7 申请日: 2014-06-09
公开(公告)号: CN104241235B 公开(公告)日: 2018-11-06
发明(设计)人: 小野善宏;木田刚;坂田贤治 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L21/60
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种半导体芯片和插线板通过导体柱彼此耦合。位于最外围开口之上的导体柱的中心在远离半导体芯片的中心的方向上偏离开口的中心。当将其中每个导体柱和绝缘层彼此重叠的区域指定为重叠区域时,重叠区域的比开口在更内侧上的宽度小于重叠区域的比开口在更外侧上的宽度。因此,当作用在导体柱上的应力被释放时,保持了半导体芯片和接线板之间的耦合可靠性。
搜索关键词: 半导体器件
【主权项】:
1.一种半导体器件,其包括:具有第一主面和在所述第一主面上形成的多个电极的接线板,以及半导体芯片,其安装在所述接线板之上并且经由多个焊料耦合至所述电极,其中,所述半导体芯片包括:第二主面、在所述第二主面上形成的多个电极焊盘、覆盖所述多个电极焊盘的各自的电极焊盘的一部分的第一绝缘膜、从所述多个电极焊盘上的所述第一绝缘膜露出的多个开口部、在所述多个电极焊盘和所述第一绝缘膜上形成并连接到所述多个焊料上的多个导体柱、以及在所述多个电极焊盘中的第一电极焊盘的外侧形成的保护环;其中,所述多个导体柱中的第一导体柱与所述第一绝缘膜重叠的部分指定为重叠区域时,第一宽度小于第二宽度,所述第一宽度为所述重叠区域的位于第一直线上的宽度,所述第一直线经过所述第一导体柱的中心和所述半导体芯片的中心,所述第二宽度为所述重叠区域的位于延长线上的宽度,所述延长线在经过所述第一直线的所述第一导体柱的中心的方向上延伸,在截面图中,所述第一导体柱被设置为覆盖所述保护环。
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