[发明专利]集成电路及其操作方法与制造方法有效
| 申请号： | 201410254318.2 | 申请日： | 2014-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN105206610B | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 李冠儒 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11551 | 分类号： | H01L27/11551;H01L27/11578;H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成电路及其操作方法与制造方法。集成电路包括一三维存储阵列与多个条选择线。三维存储阵列包括多个阶层。阶层各包括一第一NAND串行、一第二NAND串行、与连接开关晶体管的二维阵列。第一与第二NAND串行包括存储单元及串行开关晶体管。连接开关晶体管偶接至第一NAND串行的串行开关晶体管其中串联的两个之间。选择线电性耦接至串行开关晶体管与连接开关晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 及其 操作方法 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路，包括：一三维存储阵列，包括多个阶层，这些阶层各包括一第一NAND串行、一第二NAND串行、与连接开关晶体管的二维阵列，这些第一与第二NAND串行包括存储单元及串行开关晶体管，这些连接开关晶体管偶接至该第一NAND串行的这些串行开关晶体管其中串联的两个之间；以及多个条选择线，电性耦接至这些串行开关晶体管与这些连接开关晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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