[发明专利]一种半导体器件及其制作方法和电子装置有效
| 申请号： | 201410256238.0 | 申请日： | 2014-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN105206577B | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 王楠;王颖倩;李煜;王媛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8244 | 分类号： | H01L21/8244;H01L27/11 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制作方法和电子装置，所述制作方法包括提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有多个存储单元的前端器件，所述存储单元包括至少两个上拉晶体管、至少两个下拉晶体管以及至少两个传输门晶体管，其中，所述上拉晶体管、所述下拉晶体管和所述传输门晶体管均包括栅极和栅极侧壁；对每个存储单元中的两个所述传输门晶体管进行非对称口袋离子注入。根据本发明的制作方法，形成具有不同掺杂浓度的非对称口袋区的传输门晶体管，可有效平衡SRAM单元的可写性与读取稳定性之间的冲突，进而提高了SRAM单元的可写性和读取稳定性，提升SRAM单元的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有多个存储单元的前端器件，所述存储单元包括至少两个上拉晶体管、至少两个下拉晶体管以及至少两个传输门晶体管，其中，所述上拉晶体管、所述下拉晶体管和所述传输门晶体管均包括栅极和栅极侧壁；对每个存储单元中的两个所述传输门晶体管进行非对称口袋离子注入，使所述两个传输门晶体管之间的口袋区的掺杂浓度低于所述两个传输门晶体管外侧的口袋区的掺杂浓度，以实现读操作时传输门晶体管高的阈值电压和写操作时低的阈值电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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