[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

一种半导体器件包括：第一层叠结构，其具有彼此交替形成的第一导电层和第一绝缘层；第一半导体图案，其穿通第一层叠结构；耦接图案，其与第一半导体图案耦接；以及缝隙，其穿通第一层叠结构和耦接图案。

主权项

1.一种半导体器件，包括：第一层叠结构，其包括彼此交替形成的第一导电层和第一绝缘层；第一半导体图案，其穿通所述第一层叠结构；耦接图案，其与所述第一半导体图案耦接；缝隙，其穿通所述第一层叠结构和所述耦接图案，其中，所述耦接图案包括：水平部分，其与所述第一半导体图案的下部耦接；以及竖直部分，其从所述水平部分突出，并且包围所述第一半导体图案的侧壁；以及多层电介质层，其包围所述第一半导体图案的侧壁并且具有与所述竖直部分大体相同的厚度。