[发明专利]机台之机械手臂偏移的检测装置及其检测方法有效
申请号: | 201410258529.3 | 申请日: | 2014-06-11 |
公开(公告)号: | CN104022055B | 公开(公告)日: | 2016-11-23 |
发明(设计)人: | 何理;许向辉;郭贤权;陈超 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 王宏婧 |
地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种机台之机械手臂偏移的检测装置,具体为晶舟,具有间隔设置的控片容置区域,控片容置区域之第一控片容置区域和第二控片容置区域以中间控片容置区域为中心呈对称分布,且第一控片容置区域和第二控片容置区域沿晶舟之两端的纵向宽度较中间控片容置区域的纵向宽度呈阶梯型逐次增大。本发明通过以中间控片容置区域为中心,并对称设置宽度呈阶梯型增大的第一控片容置区域和第二控片容置区域,且依据机械性刮伤缺陷定义第一偏移区域、第二偏移区域和第三偏移区域,在进行偏移检测时通过在控片上铺设光阻或淀积氮氧化物薄膜的方式,可在缺陷发生的早期时间内及时检测,并进行设备维修、保养,减少产品报废量,改善产品良率。 | ||
搜索关键词: | 机台 机械 手臂 偏移 检测 装置 及其 方法 | ||
【主权项】:
一种机台之机械手臂偏移的检测装置,其特征在于,所述机台之机械手臂偏移的检测装置为晶舟,所述晶舟具有间隔设置的控片容置区域,所述控片容置区域之第一控片容置区域和第二控片容置区域以所述晶舟之中间控片容置区域为中心呈对称分布,且所述第一控片容置区域和所述第二控片容置区域沿所述晶舟之两端的纵向宽度较所述中间控片容置区域的纵向宽度呈阶梯型逐次增大,所述机台之机械手臂偏移的检测装置以所述晶舟之中间控片容置区域为中心,并向所述晶舟之两侧延伸,对称连续的设置第一偏移区域、第二偏移区域、第三偏移区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造