[发明专利]一种CoCrPt系合金溅射靶材和薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201410260448.7 | 申请日： | 2014-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN104032274A | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 谭志龙;张俊敏;王传军;闻明;毕珺;沈月;宋修庆;管伟明;郭俊梅 | 申请（专利权）人： | 贵研铂业股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C22C19/07;C22C1/10;C22C1/02;G11B5/851;G11B5/852 |
| 代理公司： | 昆明今威专利商标代理有限公司 53115 | 代理人： | 赛晓刚 |
| 地址： | 650106 云南省昆明市高新*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CoCrPt系合金溅射靶材和薄膜及其制备方法，所述CoCrPt系合金溅射靶材包括B元素，B元素的含量为0～20个原子百分比,所述合金靶材包括富Co相和富B相两个物相，其中富B相均匀的分布在富Co相中，所述富Co相的平均晶粒尺寸在20～50μm,富B相的平均晶粒尺寸在0～20μm；所述CoCrPt系合金溅射靶材的制备方法，包括：(1)真空熔炼；(2)热等静压；(3)热机械加工；(4)冷机械加工。使用本发明所述的CoCrPt系合金溅射靶材制备的磁记录介质，所述磁记录介质包括基底层，粘结层，软磁层，中间层和磁记录层，所述磁记录介质的矫顽力为3000～5000Oe，方形度为0.80～095。本发明化学成份均匀且偏离名义成分较小，解决了常规制备工艺中轧制开裂，成品率低，合金靶材化学成份偏离名义成份较多、有害杂质含量偏高等技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cocrpt 合金 溅射 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种CoCrPt系合金溅射靶材，其特征在于：所述CoCrPt系合金溅射靶材含有B元素，B元素的含量为0～20个原子百分比,所述合金靶材包括富Co相和富B相两个物相，其中富B相均匀的分布在富Co相中，所述富Co相的平均晶粒尺寸在20～50μm,富B相的平均晶粒尺寸在0～20μm。
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