[发明专利]半导体及其制造方法有效
| 申请号： | 201410260734.3 | 申请日： | 2014-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN104241207B | 公开（公告）日： | 2019-08-20 |
| 发明（设计）人： | 青木崇;是成贵弘 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/13 | 分类号： | H01L23/13;H01L29/06;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体及其制造方法，其中所述半导体器件，包括形成在硅衬底的表面之上并包括纵向MOSFET的有源单元区，形成在所述硅衬底的表面之上并从硅衬底的背面引出纵向MOSFET的漏极的漏极电极，在漏极电极之上形成的外部漏极端子，以及形成在所述有源单元区之上，以便至少沿着所述有源单元区之上的外部漏极端子的外周的三个侧面与漏极电极相对并连接到纵向MOSFET的源极的源极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：有源单元区，形成在半导体衬底的表面之上，并且包括纵向晶体管；外部栅极端子，形成在半导体衬底的表面上并且电连接到纵向晶体管的栅极；漏极电极，形成在所述半导体衬底的表面之上，并且从所述半导体衬底的背面引出所述纵向晶体管的漏极；多个外部漏极端子，形成在所述漏极电极之上并且电连接到漏极电极；源极电极，形成在所述有源单元区之上，以便至少沿着所述外部漏极端子的外周的三个侧面与所述漏极电极相对，并连接到所述纵向晶体管的源极；以及多个外部源极端子，形成在源极电极上并且电连接到源极电极；其中，所述外部漏极端子，所述外部源极端子和所述外部栅极端子被设置成至少两行三列的焊盘布局，其中所述多个漏极外部端子和多个外部源极端子被布置成彼此相邻，其中所述外部漏极端子中的一个外部漏极端子被置于多个所述外部源极端子之间。
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