[发明专利]一种平面型VDMOS器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201410265019.9 | 申请日： | 2014-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN105226081A | 公开（公告）日： | 2016-01-06 |
| 发明（设计）人： | 马万里 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种平面型VDMOS器件及其制造方法，包括：在外延层上生长栅氧化层；在所述的栅氧化层上生长不掺杂的多晶硅层；将所述多晶硅层刻蚀成分段结构；将所述分段后的多晶硅层进行氧化；在所述外延层上，制作第二导电类型阱区和第一导电类型源区；在所述外延层上生长介质层并形成接触孔；向所述接触孔中注入离子，形成第二导电类型深体区；制作金属层。本方法能消除平面型VDMOS中多晶硅与外延层之间所产生的栅漏电容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平面 vdmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种平面型VDMOS的制造方法，其特征在于，包括：在外延层上生长栅氧化层；在所述的栅氧化层上生长不掺杂的多晶硅层；将所述多晶硅层刻蚀成分段结构；将所述分段后的多晶硅层进行氧化；在所述外延层上，制作第二导电类型阱区和第一导电类型源区；在所述外延层上生长介质层并形成接触孔；向所述接触孔中注入离子，形成第二导电类型深体区；制作金属层。
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