[发明专利]半导体器件的制作方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件的制作方法，利用单次曝光形成高密度图案，包含以下步骤：首先提供一基底，一硬掩模和一图案化光阻层覆盖基底，其中图案化光阻层包含至少四个第一孔洞，第一孔洞排列成两列两行，接着以图案化光阻层为掩模，移除部分的硬掩模以在硬掩模中形成至少四个第二孔洞，然后扩大各个第一孔洞，再以一填充材料填满各个扩大的第一孔洞以及填满各个第二孔洞，之后完全移除图案化光阻层并且曝露出部分的硬掩模，接续以填充材料为掩模，移除部分的硬掩模，以在硬掩模中形成至少四个第四孔洞，最后完全移除填充材料。

主权项

1.一种半导体器件的制作方法，包含：提供一基底，一硬掩模和一图案化光阻层覆盖所述基底，其中所述图案化光阻层包含至少四个第一孔洞，所述第一孔洞排列成两列两行；以所述图案化光阻层为掩模，移除部分的所述硬掩模以在所述硬掩模中形成至少四个第二孔洞；扩大各所述第一孔洞；以一填充材料填满各所述扩大的第一孔洞以及填满各所述第二孔洞，其中所述填充材料和所述硬掩模由不同的材料形成；完全移除所述图案化光阻层并且曝露出部分的所述硬掩模；以所述填充材料为掩模，移除部分的所述硬掩模，以在所述硬掩模中形成至少四个第四孔洞；以及完全移除所述填充材料。