[发明专利]一种用于量子点增强膜的增透膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201410267257.3 | 申请日： | 2014-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN104049410A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 李福山;郭太良;吴薇;聂晨;林健 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | G02F1/13357 | 分类号： | G02F1/13357 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于量子点增强膜（QDEF）的增透膜及其制备方法。所述QDEF膜自上而下依次为阻挡层、量子点层、阻挡层、增透膜。其中增透膜通过电子束蒸发或磁控溅射等方式镀膜而成。由于在QDEF的入光面加上了一层增透膜，从而提升了QDEF的光学入射效率，减少QDEF的引入导致液晶显示器的光学损耗，提高了流明效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 量子 增强 增透膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于量子点增强膜的增透膜，其特征在于：所述的量子点增强膜设有增透膜，该增透膜位于量子点增强膜的入光面上，厚度为50nm‑200nm。
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