[发明专利]半导体发光器件及其制造方法有效
申请号: | 201410267670.X | 申请日: | 2014-06-16 |
公开(公告)号: | CN104241486B | 公开(公告)日: | 2018-05-25 |
发明(设计)人: | 金基石;李相奭;李守烈;林璨默 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38;H01L33/40 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 陈源;张帆 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供了一种半导体发光器件及其制造方法。所述半导体发光器件包括发光结构,所述发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。所述器件还可包括:第一电极,其连接至第一导电类型半导体层;和第二电极,其连接至第二导电类型半导体层并具有焊盘区和在一个方向上从焊盘区延伸的指区。第二电极可包括:透明电极部件,其布置在第二导电类型半导体层上,并在其中包括至少一个开口;至少一个反射部件,其在所述开口中与透明电极部件分隔开,并且设置在焊盘区和指区中;以及接合部件,其布置在反射部件的至少一部分上,并包括在指区中彼此分隔开的多个接合指部件和设置在焊盘区中的接合焊盘部件。 | ||
搜索关键词: | 焊盘区 导电类型半导体层 半导体发光器件 第一导电类型 半导体层 第二电极 发光结构 反射部件 透明电极 分隔 开口 第一电极 接合部件 接合焊盘 接合 源层 制造 延伸 | ||
【主权项】:
1.一种半导体发光器件,包括:发光结构,其包括第一导电类型半导体层、设置在所述第一导电类型半导体层上的有源层和设置在所述有源层上的第二导电类型半导体层;第一电极,其设置在所述第一导电类型半导体层上;以及第二电极,其具有焊盘区和从所述焊盘区延伸的指区,其中,所述第二电极包括:透明电极部件,其设置在所述第二导电类型半导体层上,并具有设置在所述焊盘区和所述指区中的开口;反射部件,其设置在所述焊盘区和所述指区中的透明电极部件的开口中的第二导电类型半导体层上,并在所述开口中与所述透明电极部件分隔开;以及接合部件,其包括:多个接合指部件,其设置在所述指区中的反射部件上并彼此分隔开;以及接合焊盘部件,其设置在所述焊盘区中的反射部件上,其中,所述接合焊盘部件覆盖所述焊盘区中的透明电极部件的开口,并延伸至所述透明电极部件上,并且所述接合焊盘部件在所述焊盘区中的透明电极部件的开口中介于所述透明电极部件与所述反射部件之间。
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