[发明专利]一种基于甲酸电氧化的Pd膜电极的修饰方法有效
| 申请号： | 201410268055.0 | 申请日： | 2014-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN104022290A | 公开（公告）日： | 2014-09-03 |
| 发明（设计）人： | 李巧霞;王龙龙;曹晓璐;王亚骏 | 申请（专利权）人： | 上海电力学院 |
| 主分类号： | H01M4/88 | 分类号： | H01M4/88;H01M4/86;H01M4/92;C25D7/00;B01J23/644 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 林君如 |
| 地址： | 200090 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于甲酸电氧化的Pd膜电极的修饰方法，利用Sb在Pd表面上发生欠电位沉积，在Pd基底表面上沉积单层Sb以改善Pd表面结构，将玻碳电极在麂皮上打磨成镜面，再在0.1M HClO4中采用循环伏安法进行电化学清洗后在Pd镀液中沉积钯，然后在0.1mM酒石酸锑钾(APT)+0.5M H2SO4中控电位沉积(0.2～0.3V vs.SCE)10～30s，即完成在Pd基底表面上沉积单层Sb。与现有技术相比，本发明通过简单的UPD技术在Pd表面沉积单层Sb，这种Sb修饰的Pd电极对甲酸具有较好的催化效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 甲酸 氧化 pd 电极 修饰 方法 | ||
【主权项】：
一种基于甲酸电氧化的Pd膜电极的修饰方法，其特征在于，该方法利用Sb在Pd表面上发生欠电位沉积，在Pd基底表面上沉积单层Sb以改善Pd表面结构，具体采用以下步骤：(1)制备Pd膜：将玻碳电极在麂皮上打磨成镜面，再在0.1M HClO4中采用循环伏安法进行电化学清洗(0～1.0V VS.SCE)，之后在Pd镀液中沉积钯(采用循环伏安电沉积方法，镀液为5mM PdCl2+0.1M HClO4)；(2)在Pd膜表面沉积单层Sb：将沉积有钯的Pd镀膜在0.1mM酒石酸锑钾(APT)+0.5M H2SO4中控电位沉积(0.2～0.3V vs.SCE)10～30s，即完成在Pd基底表面上沉积单层Sb。
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