[发明专利]一种用于多晶硅铸锭的脱模层、多晶硅铸锭方法及铸锭用坩埚在审
| 申请号： | 201410269640.2 | 申请日： | 2014-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN104060324A | 公开（公告）日： | 2014-09-24 |
| 发明（设计）人： | 刘海;何亮;胡动力 | 申请（专利权）人： | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 338000 江西省新余*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于多晶硅铸锭的脱模层，所述脱模层设置于铸锭用坩埚内壁的表面，将硅料与坩埚内壁隔离，所述坩埚内壁包括坩埚底部和坩埚侧壁，所述脱模层的材质为纯度在99.99％以上的高纯硅化物薄片，所述脱模层的厚度为0.1mm～2mm。采用高纯硅化物薄片作为脱模层，解决了现有涂层技术带来的粗糙界面对形核不利的问题，以及涂层颗粒引起长晶杂质原子以及杂质颗粒沾污的问题；本发明还提供了一种多晶硅锭的制备方法和铸锭用坩埚，将所述坩埚应用于多晶硅铸锭，可以改善铸锭底部及侧边红区的宽度，尤其是可以应用于准单晶硅铸锭，降低了现有涂层技术对准单晶侧部生长的不利影响，大幅提高准单晶的比例。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 多晶 铸锭 脱模 方法 坩埚 | ||
【主权项】：
一种用于多晶硅铸锭的脱模层，其特征在于，所述脱模层设置于铸锭用坩埚内壁的表面，将硅料与坩埚内壁隔离，所述坩埚内壁包括坩埚底部和坩埚侧壁，所述脱模层的材质为纯度在99.99％以上的高纯硅化物薄片，所述脱模层的厚度为0.1mm～2mm。
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