[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底；所述半导体衬底上形成有沿第一方向延伸的多个有源区；在所述有源区上形成跨越多个所述有源区沿第二方向延伸的控制栅极线，其中所述第二方向和所述第一方向垂直；形成定义有切割区图案的切割掩膜，对所述切割区内的所述控制栅极线进行蚀刻，至少完全去除有源区上方的所述控制栅极线。根据本发明的制造方法，通过改变控制栅极线的布局方向和切割掩膜的布局，更容易实现对控制栅极线切割后多晶硅残留的控制，避免了字线桥接问题的出现，进而提高了器件的性能和良率。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底；所述半导体衬底上形成有沿第一方向延伸的多个有源区；在所述有源区上形成跨越多个所述有源区沿第二方向延伸的控制栅极线，其中所述第二方向和所述第一方向垂直；形成定义有切割区图案的切割掩膜，对所述切割区内的所述控制栅极线进行蚀刻，至少完全去除有源区上方的所述控制栅极线，以避免字线桥接问题。