[发明专利]一种刻蚀液储液装置及湿法刻蚀设备在审
| 申请号： | 201410273131.7 | 申请日： | 2014-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN104087938A | 公开（公告）日： | 2014-10-08 |
| 发明（设计）人： | 李梁梁;郭总杰;丁向前;刘耀;白金超 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/08 | 分类号： | C23F1/08 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供一种刻蚀液储液装置及湿法刻蚀设备，涉及显示技术领域，可降低刻蚀液中杂质离子的浓度，避免刻蚀液的频繁更换，从而保证刻蚀工艺的稳定性，同时还能延长刻蚀液的使用寿命，从而降低成本；所述刻蚀液储液装置包括刻蚀液存储罐、用于将刻蚀液中的离子进行选择性透过的离子交换膜、以及位于所述离子交换膜两侧的阳极和阴极；其中，所述离子交换膜与所述阳极之间构成第一腔室，所述离子交换膜与所述阴极之间构成第二腔室；用于湿法刻蚀设备的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 液储液 装置 湿法 设备 | ||
【主权项】：
一种刻蚀液储液装置，其特征在于，所述刻蚀液储液装置包括刻蚀液存储罐、用于将刻蚀液中的离子进行选择性透过的离子交换膜、以及位于所述离子交换膜两侧的阳极和阴极；其中，所述离子交换膜与所述阳极之间构成第一腔室，所述离子交换膜与所述阴极之间构成第二腔室。
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