[发明专利]发光器件和包括发光器件的照明设备有效
| 申请号： | 201410275911.5 | 申请日： | 2014-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN104241487B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 吴沼泳;黃盛珉 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 周燕,夏凯 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供发光器件和包括发光器件的照明设备。发光器件呈现改进的电流扩展。发光器件包括包含第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及布置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层的发光结构；布置在第一导电类型半导体层上的第一电极；以及布置在第二导电类型半导体层上的第二电极。发光结构包括部分地蚀刻第二导电类型半导体层、有源层以及第一导电类型半导体层的台面蚀刻区域，从而暴露第一导电类型半导体层的一部分。第一电极布置在第一导电类型半导体层的暴露的部分上。第一电极层被布置在第二导电类型半导体层和第二电极之间。第二电极层布置于在台面蚀刻区域的相对侧处被相互隔开的第一电极层的部分之间。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 包括 照明设备 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层，第二导电类型半导体层，以及有源层，所述有源层被布置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间；第一电极，所述第一电极被布置在所述第一导电类型半导体层上；以及第二电极，所述第二电极被布置在所述第二导电类型半导体层上，其中，所述发光结构包括部分地蚀刻所述第二导电类型半导体层、所述有源层、以及所述第一导电类型半导体层的台面蚀刻区域，从而暴露所述第一导电类型半导体层的一部分，并且所述第一电极被布置在所述台面蚀刻区域中的所述第一导电类型半导体层的暴露的部分上，其中，第一电极层被布置在所述第二导电类型半导体层和所述第二电极之间，并且第二电极层被布置于在所述台面蚀刻区域的相对侧处被相互隔开的所述第一电极层的部分之间，其中，所述第二电极层在所述第二电极层的相对的末端处重叠所述第一电极层。
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