[发明专利]一种基于半浮栅存储器的读写控制电路有效
| 申请号： | 201410276695.6 | 申请日： | 2014-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN104078078B | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 王永寿;朱家国;苗跃;王鹏飞 | 申请（专利权）人： | 苏州东微半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/409 | 分类号： | G11C11/409;G11C11/4091 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司32200 | 代理人： | 吴树山 |
| 地址： | 215021 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于半浮栅存储器的读写控制电路，它包括灵敏放大电路、预充电电路、数据写入电路、钟控电流源、第一数据锁存电路、第二数据锁存电路、第一数据判决电路和第二数据判决电路，其中：该灵敏放大电路的第一输出端、第二输出端分别与所述第一数据锁存电路、第二数据锁存电路连接，该灵敏放大电路的第一输入端、第二输入端分别与半浮栅存储器的位线以及钟控电流源连接，该数据写入电路与半浮栅存储器的位线连接、并与钟控电流源连接。本发明通过在半浮栅存储器的读写控制电路中加入数据判决电路和数据锁存电路，能够有效的对半浮栅存储器进行数据写入和读出，具有读取速度快且没有静态功耗，适用于各种半浮栅存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 半浮栅 存储器 读写 控制电路 | ||
【主权项】：
一种基于半浮栅存储器的读写控制电路，它包括预充电电路、灵敏放大电路，所述灵敏放大电路的第一输入端通过第七NMOS管与半浮栅存储器的位线连接，其特征在于还包括数据写入电路、钟控电流源、第一数据锁存电路、第二数据锁存电路、第一数据判决电路和第二数据判决电路，其中：所述灵敏放大电路的第一输出端与所述第一数据锁存电路连接、所述灵敏放大电路的第二输出端与所述第二数据锁存电路连接，所述灵敏放大电路的第二输入端通过第八NMOS管与钟控电流源的输出端连接，所述预充电电路与半浮栅存储器的位线连接、并与所述钟控电流源的输出端连接，所述数据写入电路与半浮栅存储器的位线连接、并与所述钟控电流源的输出端连接。
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