[发明专利]一种栅极独立抗噪直插式传声器在审
| 申请号： | 201410279212.8 | 申请日： | 2014-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN104113806A | 公开（公告）日： | 2014-10-22 |
| 发明（设计）人： | 施存炬;张建国 | 申请（专利权）人： | 宁波兴隆电子有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/01 | 分类号： | H04R19/01;C22C38/54;C21D8/00;C21D6/00 |
| 代理公司： | 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(普通合伙) 33243 | 代理人： | 张向飞 |
| 地址： | 315135 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种栅极独立抗噪直插式传声器，解决传统传声器使用寿命短、抗噪能力不稳定等问题。所述传声器包括场效应管FET、塑腔和极板；塑腔底面铺置导电板，场效应管FET和塑腔之间附有胶水，场效应管FET的栅极G紧靠一侧的导电板内边沿引出，形成栅极G独立，极板通过胶水与场效应管FET相接；所述导电板由以下重量百分比成分组成：Cr16.5-17.5％，Ni22.0-25.0％，Mo0.8-0.9％，Ti1.6-1.9％，Al0.25-0.30％，C0.05-0.08％，B0.06-0.08％，V0.4-0.6％，Si1.0-1.5％，Mn1.0-1.5％，余量为Fe。所述传声器抗噪功能强，使用寿命长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 栅极 独立 抗噪直插式 传声器 | ||
【主权项】：
一种栅极独立抗噪直插式传声器，包括用于放大电荷变换信号的场效应管FET、用于设置场效应管FET的塑腔，以及极板，其特征在于：所述塑腔底面呈四级阶梯状并在底面两侧的台阶上铺置导电板，所述场效应管FET和塑腔之间附有一层胶水，所述场效应管FET的栅极G紧靠一侧的导电板内边沿引出，形成栅极G独立，所述极板通过胶水与场效应管FET相接；所述导电板由以下重量百分比的成分组成：Cr：16.5‑17.5％，Ni：22.0‑25.0％，Mo：0.8‑0.9％，Ti：1.60‑1.90％，Al：0.25‑0.30％，C：0.05‑0.08％，B：0.06‑0.08％，V：0.4‑0.6％，Si：1.0‑1.5％，Mn：1.0‑1.5％，余量为Fe及不可避免的杂质。
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