[发明专利]消隐装置、绘制装置和物品的制造方法有效
| 申请号： | 201410282732.4 | 申请日： | 2014-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN104253025B | 公开（公告）日： | 2017-07-07 |
| 发明（设计）人： | 森田知之;村木真人 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 宋岩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了消隐装置、绘制装置和物品的制造方法。本发明提供一种消隐装置，该消隐装置包括多个消隐器，被配置成相对于物体上的目标位置分别使多个射束消隐；和驱动设备，被配置成驱动多个消隐器，其中，驱动设备包括改变设备，该改变设备被配置成改变多个射束中的射束的组合和目标剂量之间的关系。 | ||
| 搜索关键词： | 装置 绘制 物品 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种消隐装置，包括：多个消隐器，被配置成相对于物体上的目标位置分别且选择性地使多个射束消隐，所述物体相对于所述多个消隐器移动；和驱动设备，被配置成基于彼此不同的目标剂量中的目标位置所需的一个目标剂量来驱动所述多个消隐器以使得所述多个射束中的射束的组合不被消隐以多重照射目标位置，其中，驱动设备包括改变设备，所述改变设备被配置成能够改变所述多个射束中的要用于所述一个目标剂量的射束的组合。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佳能株式会社，未经佳能株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410282732.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种螺口瓶盖开启装置
- 下一篇：一种二级鉴频鉴相电荷泵锁相环
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
