[发明专利]半导体器件制造方法在审
| 申请号： | 201410286244.0 | 申请日： | 2014-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN104253032A | 公开（公告）日： | 2014-12-31 |
| 发明（设计）人： | 茶木原启;中江彰宏;筱原正昭;石井泰之 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/30 | 分类号： | H01L21/30;H01L21/266;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件制造方法，消除了以下可能性，当薄膜被处理若干次时，在图案之上形成薄的光刻胶薄膜用作对准标记等，并且在处理步骤中从光刻胶薄膜暴露图案并且去除图案，以便于改进半导体器件的可靠性。用作对准标记等的图案是作为形成在半导体衬底之上导电薄膜中开口的线性沟槽，由此防止导电薄膜之上的光刻胶薄膜流向导电薄膜中的开口。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件制造方法，包括步骤：(a1)提供半导体衬底；(b1)形成第一薄膜以覆盖所述半导体衬底的主表面的第一区域和第二区域；(c1)处理在所述第一区域中的所述第一薄膜以形成第一图案作为在所述第一薄膜中的开口；(d1)在以上所述步骤(c1)之后，形成光刻胶薄膜以覆盖所述第一区域，并且覆盖在所述第二区域中的所述第一薄膜的一部分；(e1)使用所述光刻胶薄膜作为掩模执行刻蚀以处理在所述第二区域中的所述第一薄膜；以及(f1)在以上所述步骤(e1)之后，检查所述第一图案，其中所述第一区域的由所述第一薄膜覆盖的部分具有在平面图中比所述第一图案更大的面积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
